[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810336667.7 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN109658965B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 荒川贤一 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置，改善页面缓冲器/读出电路的面积效率并且抑制布线间的电容耦合所致的误动作。本发明的闪速存储器(100)具有：形成有多个存储胞元的存储胞元阵列(110)，保持自存储胞元阵列(110)所选择的页面读取的数据、或保持编程至所述存储胞元阵列所选择的页面的数据的页面缓冲器/读出电路(170)。在由存储胞元阵列(110)上延伸的p根位线规定的行方向上的1间距内，页面缓冲器/读出电路(170)配置为n列×m段，n为2以上的整数，m为2以上的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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