[发明专利]一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路有效

专利信息
申请号: 201810331453.0 申请日: 2018-04-13
公开(公告)号: CN108390568B 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 林浩;张成凤;王鑫 申请(专利权)人: 成都矽芯科技有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/088
代理公司: 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 代理人: 廖曾
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)自*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路,设置有彼此连接的低压驱动电路和同步整流BOOST环路,所述低压驱动电路在输出电源的基础上形成一个可控的电压差ΔV;所述低压驱动电路的输出端的一端与同步整流BOOST环路的低压PMOS整流管的栅极相连接,将低压PMOS整流管的驱动电压控制在输出电源值‑ΔV~输出电源值之间,能够克服现有技术中内置高压PMOS整流管驱动能力差,面积大,寄生电容大的缺点,以及低压PMOS整流管耐压能力不足的问题。
搜索关键词: 一种 使用 低压 pmos 整流管 同步 整流 boost 电源 调制 电路
【主权项】:
1.一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路,其特征在于:设置有彼此连接的低压驱动电路(1)和同步整流BOOST环路(2),所述低压驱动电路(1)在输出电源的基础上形成一个可控的电压差ΔV;所述低压驱动电路(1)的输出端的一端与同步整流BOOST环路(2)的低压整流管(21)的栅极相连接,将低压整流管(21)的驱动电压控制在输出电源值‑ΔV~输出电源值之间。
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