[发明专利]一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路

权利要求书

1.一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，其特征在于：设置有彼此连接的低压驱动电路（1）和同步整流BOOST环路（2），所述低压驱动电路（1）在输出电源的基础上形成一个可控的电压差ΔV；所述低压驱动电路（1）的输出端的一端与同步整流BOOST环路（2）的低压PMOS整流管（21）的栅极相连接，将低压PMOS整流管（21）的驱动电压控制在输出电源值-ΔV~输出电源值之间；所述低压驱动电路（1）包括相互连接的驱动电压产生电路（11）和驱动信号传输电路（12），驱动信号传输电路（12）的输出端连接低压PMOS整流管（21）的栅极，低压PMOS整流管（21）的源极连接驱动信号传输电路（12）的电源脚；所述驱动电压产生电路（11）的输出端连接驱动信号传输电路（12）的地端。

2.根据权利要求1所述的一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，其特征在于：在所述驱动电压产生电路内设置有单位增益运算放大器（111）、滤波电容（112）、电流源（113）及驱动电压控制电阻（114），单位增益运算放大器（111）的输出端连接驱动信号传输电路（12）的地端和滤波电容（112）的第一端，滤波电容（112）的第二端接地，单位增益运算放大器（111）的反相输入端与输出端共接，单位增益运算放大器（111）的同相输入端分别与电流源（113）的第一端和驱动电压控制电阻（114）的第二端相连接，电流源（113）的第二端接地，驱动电压控制电阻（114）的第一端与驱动信号传输电路（12）的电源脚相连接。

3.根据权利要求2所述的一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，其特征在于：所述滤波电容（112）为电解电容，且滤波电容（112）的负极端接地。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，其特征在于：在所述同步整流BOOST环路（2）内还设置有低压功率管（22）和电感（23），电感（23）的第二端分别与低压PMOS整流管（21）的漏端和低压功率管（22）的漏端相连接，低压功率管（22）的源端接地，电感（23）的第一端为输入端连接电源V_in。

5.根据权利要求4所述的一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，其特征在于：所述低压功率管（22）采用低压NMOS功率管。

6.根据权利要求1-3，5任一项所述的一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，其特征在于：所述同步整流BOOST环路（2）还完成同步整流升压功能。

7.根据权利要求1或2或3任一项所述的一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，其特征在于：所述驱动电压产生电路（11）的输出端连接驱动信号传输电路（12）的地端，为驱动信号传输电路（12）提供电压为输出电源值-ΔV的逻辑低电平；所述驱动信号传输电路（12）将低压PMOS整流管（21）控制信号转换到逻辑低电平，给低压PMOS整流管（21）提供驱动。