[发明专利]一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路

说明书

本发明公开了一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，设置有彼此连接的低压驱动电路和同步整流BOOST环路，所述低压驱动电路在输出电源的基础上形成一个可控的电压差ΔV；所述低压驱动电路的输出端的一端与同步整流BOOST环路的低压PMOS整流管的栅极相连接，将低压PMOS整流管的驱动电压控制在输出电源值‑ΔV~输出电源值之间，能够克服现有技术中内置高压PMOS整流管驱动能力差，面积大，寄生电容大的缺点，以及低压PMOS整流管耐压能力不足的问题。

技术领域

本发明涉及DC-DC升压技术领域，具体的说，是一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路。

背景技术

传统的同步整流BOOST型电源调制电路中，包括高压驱动电路和高压PMOS同步整流BOOST环路。

高压PMOS同步整流BOOST环路具有同步整流升压功能，目前工艺中，同步整流BOOST环路中一般使用高压PMOS整流管。高压驱动电路为高压PMOS同步整流BOOST环路提供一个V_OUT的电平来驱动高压PMOS整流管。

相比于相同驱动能力下的低压PMOS整流管，高压PMOS整流管的面积更大，寄生电容也更大。

为了规避传统电路中高压PMOS整流管带来的性能上的不足，在电路中使用低压PMOS整流管替代高压PMOS整流管成为必然趋势，但低压PMOS整流管耐压能力不足。所以如何解决电路中低压PMOS整流管的耐压问题，即成为了目前工程中一个热门课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，能够克服现有技术中内置高压PMOS整流管驱动能力差，面积大，寄生电容大的缺点，以及低压PMOS整流管耐压能力不足的问题。

本发明通过下述技术方案实现：一种使用低压PMOS整流管的同步整流BOOST型电源调制电路，设置有彼此连接的低压驱动电路和同步整流BOOST环路，所述低压驱动电路在输出电源的基础上形成一个可控的电压差ΔV；所述低压驱动电路的输出端的一端与同步整流BOOST环路的低压PMOS整流管的栅极相连接，将低压PMOS整流管的驱动电压控制在输出电源值-ΔV～输出电源值之间。

进一步的为更好地实现本发明，特别采用下述设置方式：所述低压驱动电路包括相互连接的驱动电压产生电路和驱动信号传输电路，驱动信号传输电路的输出端连接低压PMOS整流管的栅极，低压PMOS整流管的源极连接驱动信号传输电路的电源脚；所述驱动电压产生电路的输出端连接驱动信号传输电路的地端。

进一步的为更好地实现本发明，特别采用下述设置方式：在所述驱动电压产生电路内设置有单位增益运算放大器、滤波电容、电流源及驱动电压控制电阻，单位增益运算放大器的输出端连接驱动信号传输电路的地端和滤波电容的第一端，滤波电容的第二端接地，单位增益运算放大器的反相输入端与输出端共接，单位增益运算放大器的同相输入端分别与电流源的第一端和驱动电压控制电阻的第二端相连接，电流源的第二端接地，驱动电压控制电阻的第一端与驱动信号传输电路的电源脚相连接。

进一步的为更好地实现本发明，特别采用下述设置方式：所述滤波电容为电解电容，且滤波电容的负极端接地。

进一步的为更好地实现本发明，特别采用下述设置方式：在所述同步整流BOOST环路内还设置有低压功率管和电感，电感的第二端分别与低压PMOS整流管的漏端和低压功率管的漏端相连接，低压功率管的源端接地，电感(23)的第一端为输入端连接电源V_in。

进一步的为更好地实现本发明，特别采用下述设置方式：所述低压功率管采用低压NMOS功率管。

进一步的为更好地实现本发明，特别采用下述设置方式：所述同步整流BOOST环路还完成同步整流升压功能。