[发明专利]非挥发性记忆体及其操作方法有效
| 申请号： | 201810320176.3 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108694983B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 庄绍勳;谢易叡 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性的记忆体及其操作方法。本记忆体的第一储存单元包括第一阻变式晶体管以及第一控制晶体管。第一储存单元可使用第一阻变式晶体管进行储存，从而做为快闪记忆体(flash memory)来使用。第二阻变式晶体管与第二控制晶体管可组成与第一储存单元雷同的第二储存单元。隔离晶体管连接在第一储存单元和第二储存单元之间。然后，多个与上述相同架构的储存单元可串联并形成阵列。多个阵列可再形成为一个记忆体电路。隔离晶体管可具有与第一及第二控制晶体管相同的结构。透过上述配置，隔离晶体管可用以防止记忆体电路中的第一储存单元与第二储存单元之间产生溜径电流。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆体 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性记忆体，其特征在于，包含：一第一记忆单元，包含互相电性连接的一第一双极性阻变式晶体管与一第一控制晶体管，其中该第一双极性阻变式晶体管电性连接至一字符线定址驱动电路，该第一控制晶体管电性连接至一控制线定址驱动电路，且当该控制线定址驱动电路驱动该第一控制晶体管时，该第一双极性阻变式晶体管透过该第一控制晶体管接收来自一位线定址驱动电路的一第一电流；一第二记忆单元，包含互相电性连接的一第二双极性阻变式晶体管与一第二控制晶体管，其中该第二双极性阻变式晶体管电性连接至该字符线定址驱动电路，该第二控制晶体管电性连接至该控制线定址驱动电路，且当该控制线定址驱动电路驱动该第二控制晶体管时，该第二双极性阻变式晶体管透过该第二控制晶体管接收来自该位线定址驱动电路的一第二电流；以及一隔离晶体管，耦接于该第一记忆单元与该第二记忆单元之间，用以使该第一记忆单元与该第二记忆单元互相电性隔离。
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