[发明专利]一种硫掺杂氮化硼纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201810319049.1 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108554433B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赵刚;战泽宇;徐锡金;程艳玲;赵宏;董晓晶;赵爽 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/00;C04B35/583;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 商金婷 |
| 地址： | 250022 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及光催化领域，提供了一种硫掺杂氮化硼纳米片的制备方法，包括活化氮化硼纳米片的制备和硫掺杂氮化硼纳米片的制备两个步骤，通过硫原子的掺杂，实现了h‑BNNS纳米片带隙的调整，使原本无光催化性能的h‑BNNS变成了具有可见光降解性能的S‑BNNS光催化剂。该方法简单有效，制备出的光催化剂效果突出、对环境无毒、吸附量高，光降解效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氮化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫掺杂氮化硼纳米片的制备方法，包括以下步骤:(1)活化氮化硼纳米片的制备：通过旋转超声剥离制备的方法批量化制备出六方氮化硼纳米片，通过羟基化作用得到活性氮化硼纳米片；(2)硫掺杂氮化硼纳米片的制备：采用双热源真空管式炉，在保护气氛下，将硫磺粉与步骤(1)中得到HO‑BNNS按照质量比为1：1‑100:1，分别置于管式炉的前置加热区和后置加热区，前置加热区温度设定为200‑500℃，后置加热区温度设定为600‑1000℃，反应时间设定为0.1‑10h。
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