[发明专利]基于自整流特性材料的二维超快准非易失存储器及其制备方法

摘要

本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于自整流特性材料的二维超快准非易失存储器及其制备方法。本发明利用具有自整流特性的材料替代传统闪存（Flash）的沟道与隧穿层，通过此材料的开关特性，取代传统电荷的隧穿机制实现超快写入与准非易失存储。本发明制备，包括先在衬底上利用机械剥离或者化学气相沉积获得作为电荷存储层的二维材料，然后利用分子束外延生长自整流特性材料CrX3作为器件沟道以及开关。本发明可以制备具有超快写入能力以及准非易失特性的新型存储器，弥补了动态随机存储器与闪存存储器之间的数据存储时间跨度，在未来存储器领域具有巨大的应用前景。

主权项

1.一种基于自整流特性材料的二维超快准非易失存储器，其特征在于，包括：一带有氧化绝缘层的高掺杂硅衬底；衬底上制备的第一层二维材料薄膜；在第一层二维材料上生长的第二层二维自整流特性材料；第二层二维自整流特性材料上生长的有一定图形的金属电极。