[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810296008.5 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216542A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 朴钟撤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括：第一导电线，在衬底上在第一方向上延伸；第二导电线，在第一导电线上并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及存储单元柱，在第一导电线与第二导电线之间的交叉点处连接到第一导电线和第二导电线，并包括加热电极层和接触加热电极层的可变电阻层，使得加热电极层的两个侧壁在第一方向上与第一导电线的两个侧壁对准。 | ||
| 搜索关键词： | 导电线 可变电阻存储器件 加热电极 侧壁 可变电阻层 存储单元 交叉点处 接触加热 电极层 延伸 衬底 制造 对准 | ||
【主权项】：
1.一种可变电阻存储器件，包括：在衬底上的第一导电线，所述第一导电线在第一方向上延伸；在所述第一导电线上的第二导电线，所述第二导电线在第二方向上延伸，所述第二方向是交叉所述第一方向的方向；以及存储单元柱，在所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处连接到所述第一导电线和所述第二导电线，所述存储单元柱包括加热电极层和可变电阻层，所述可变电阻层与所述加热电极层接触，所述加热电极层的两个相反的侧壁在所述第一方向上分别与所述第一导电线的两个相反的侧壁对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810296008.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MTJ器件与其制作方法
- 下一篇：半导体器件
