[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件，包括：

在衬底上的第一导电线，所述第一导电线在第一方向上延伸；

在所述第一导电线上的第二导电线，所述第二导电线在第二方向上延伸，所述第二方向是交叉所述第一方向的方向；以及

存储单元柱，在所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处连接到所述第一导电线和所述第二导电线，所述存储单元柱包括加热电极层和可变电阻层，所述可变电阻层与所述加热电极层接触，所述加热电极层的两个相反的侧壁在所述第一方向上分别与所述第一导电线的两个相反的侧壁对准。

2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述加热电极层在所述第一方向上与所述可变电阻层的底表面的一部分接触，在所述第二方向上与所述可变电阻层的所述底表面的整个接触。

3.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述衬底包括衬底凹陷部，所述衬底凹陷部是在所述第一方向上相对于所述第一导电线的所述两个相反的侧壁以自对准的方式形成在所述衬底中的凹陷。

4.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述加热电极层在所述第二方向上的宽度等于所述第一导电线在所述第二方向上的宽度。

5.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述加热电极层包括基部和鳍部，所述基部在所述第一方向上平行于所述第一导电线延伸，所述鳍部在第三方向上从所述基部的一端延伸，使得所述鳍部与所述可变电阻层的底表面的一部分接触，所述第三方向是垂直于所述第一方向和所述第二方向两者的方向。

6.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述加热电极层包括基部和鳍部，所述基部在所述第一方向上平行于所述第一导电线延伸，所述鳍部以倾斜的方式从所述基部的一端向上延伸，使得所述鳍部形成所述加热电极层的倾斜侧壁并与所述可变电阻层的底表面的一部分接触。

7.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述加热电极层包括平行于所述第一导电线延伸的基部和从所述基部的一端向上延伸的鳍部，所述存储单元柱还包括与所述基部和所述鳍部接触的绝缘间隔物，所述绝缘间隔物具有与所述基部接触的底表面和与所述可变电阻层接触的顶表面。

8.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述存储单元柱还包括单元堆叠结构，所述单元堆叠结构包括在所述加热电极层上的选择器件层和所述可变电阻层，所述单元堆叠结构在所述第一方向上具有第一宽度并在所述第二方向上具有第二宽度。

9.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述存储单元柱还包括单元堆叠结构，所述单元堆叠结构包括在所述加热电极层上的选择器件层和所述可变电阻层，所述第二导电线的两个侧壁在所述第二方向上与所述单元堆叠结构的两个侧壁对准。

10.根据权利要求9所述的可变电阻存储器件，还包括：

绝缘间隔物，与所述加热电极层的所述侧壁和所述可变电阻层的底表面接触，所述绝缘间隔物在所述第一方向上具有U形剖面，以及

间隙填充绝缘层，填充由所述绝缘间隔物限定的空间至比所述绝缘间隔物的侧壁的顶表面低的水平面，使得在所述第二方向上相对于所述单元堆叠结构的侧壁对准的间隙填充凹陷被提供在所述空间的没有所述间隙填充绝缘层的部分中。