[发明专利]具有升压型光电二极管驱动的成像传感器有效
| 申请号： | 201810295837.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108696703B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 真锅宗平;马渕圭司;后藤高行;陈刚 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及一种具有升压型光电二极管驱动的成像传感器。一种供在图像传感器中使用的像素电路包含安置于半导体材料中的非钉扎光电二极管。非钉扎光电二极管适于响应于入射光而光生电荷载流子。浮动扩散部安置于半导体中且经耦合以接收在非钉扎光电二极管中光生的电荷载流子。转移晶体管安置于半导体材料中且耦合于非钉扎光电二极管与浮动扩散部之间。转移晶体管适于经接通以将在非钉扎光电二极管中光生的电荷载流子转移到浮动扩散部。升压电容器安置于半导体材料的表面上方、接近于非钉扎光电二极管。在转移晶体管经接通以将在非钉扎光电二极管中光生的电荷载流子进一步驱动到浮动扩散部时，升压电容器经耦合以接收光电二极管升压信号。 | ||
| 搜索关键词： | 钉扎光电二极管 浮动扩散部 半导体材料 电荷载流子 转移晶体管 耦合 成像传感器 光电二极管 升压电容器 安置 升压型 驱动 接通 光生电荷载流子 接收光电二极管 图像传感器 升压信号 像素电路 入射光 申请案 半导体 响应 | ||
【主权项】：
1.一种供在图像传感器中使用的像素电路，其包括：非钉扎光电二极管，其安置于半导体材料中，所述非钉扎光电二极管适于在所述图像传感器的单次图像捕获的单次曝光期间响应于入射光而光生电荷载流子；浮动扩散部，其安置于半导体中且经耦合以接收在所述非钉扎光电二极管中光生的所述电荷载流子；转移晶体管，其安置于所述半导体材料中且耦合于所述非钉扎光电二极管与所述浮动扩散部之间，其中所述转移晶体管适于经接通以将在所述非钉扎光电二极管中光生的所述电荷载流子转移到所述浮动扩散部；以及升压电容器，其安置于所述半导体材料的表面上方、接近于所述非钉扎光电二极管，其中在所述转移晶体管经接通以将在所述非钉扎光电二极管中光生的所述电荷载流子进一步驱动到所述浮动扩散部时，所述升压电容器经耦合以接收光电二极管升压信号。
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