[发明专利]预防图案坍塌的后处理在审
| 申请号： | 201810271387.2 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108711552A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 米尔扎弗·阿巴查夫;傅乾;石川靖 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及预防图案坍塌的后处理。提供了一种用于在堆叠中蚀刻特征的方法，所述堆叠包括在碳基掩模层上的图案化硬掩模。将图案从图案化硬掩模转移到碳基掩模层，其包括：提供包含含氧组分和SO2或COS中的至少一种的转移气体的流动，将转移气体形成为等离子体，提供大于10伏的偏置，以及停止转移气体的流动。提供了后处理，其包括：提供包含He、Ar、N2、H2或NH3中的至少一种的后处理气体的流动，其中提供所述流以维持介于50mTorr和500mTorr(包括端值)之间的处理压强；将后处理气体形成为等离子体；提供大于20伏的偏置；以及停止所述后处理气体的流动。 | ||
| 搜索关键词： | 后处理 等离子体 图案化硬掩模 碳基掩模 流动 图案 堆叠 偏置 坍塌 压强 处理气体 气体形成 蚀刻特征 含氧 预防 | ||
【主权项】：
1.一种用于在包括图案化硬掩模的堆叠中蚀刻特征的方法，所述图案化硬掩模在碳基掩模层上，所述碳基掩模层在蚀刻层上，所述方法包括：将图案从所述图案化硬掩模转移到所述碳基掩模层，其包括：提供包含SO2或COS中的至少一种和含氧组分的转移气体的流动；将所述转移气体形成为等离子体；提供大于10伏的偏置以将来自所述等离子体的离子加速到所述碳基掩模层，这将所述图案转移到所述碳基掩模层；和停止所述转移气体的所述流动；以及提供后处理，其包括：提供包含He、Ar、N2、H2或NH3中的至少一种的后处理气体的流动，其中提供所述流动以维持介于50mTorr和500mTorr之间且包括50mTorr和500mTorr的处理压强；将所述后处理气体形成为等离子体；提供大于20伏的偏置以将来自所述等离子体的离子加速到所述碳基掩模层；和停止所述后处理气体的所述流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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