[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

摘要

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF3气体、O2气体以及H2气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF3气体、O2气体以及H2气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。

主权项

1.一种基板处理装置，其在处理容器内的载置台上载置基板，并供给气体来对基板进行处理，该基板处理装置的特征在于，具备：分隔部，其与所述载置台相向地设置，设置于配置基板的处理空间与第一气体扩散的扩散空间之间；第一气体供给部，其用于向所述扩散空间供给所述第一气体；多个第一气体喷出孔，其以在厚度方向上贯通所述分隔部的方式形成，用于将扩散到所述扩散空间的第一气体喷出到所述处理空间；以及第二气体供给部，其包含多个第二气体喷出孔，该多个第二气体喷出孔在所述分隔部中的所述处理空间侧的气体喷出面开口，该第二气体供给部与所述第一气体独立地将第二气体分别独立地供给到在该处理空间中横向并排的多个区域。