[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF₃气体、O₂气体以及H₂气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF₃气体、O₂气体以及H₂气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。

技术领域

本发明涉及一种对载置于处理容器内的基板供给气体来进行处理的技术。

背景技术

作为半导体制造工艺之一，有将反应气体等离子体化来进行蚀刻、成膜处理等的等离子体处理。作为这种等离子体处理装置，已知有专利文献1记载那样的等离子体处理装置，该等离子体处理装置在处理容器内在处理容器的上部侧将处理气体激发来将处理气体等离子体化，将使其通过离子阱部而得到的自由基供给到基板。

在等离子体处理中，也有如下方法：当在处理容器内激发处理气体时，例如向天线供给高频电力使得在处理容器内产生感应电场，将供给到处理容器内的处理气体激发并供给到半导体晶圆(以下称为“晶圆”)。然而，用于在空间内激发处理气体的感应电场不均匀，因此等离子体的分布也容易变得不均匀。并且等离子体的分布容易受磁场、电场的影响，存在其密度的调整困难的问题。因此，供给到晶圆的自由基的面内分布难以获得良好的均匀性。近年来，伴随着形成于晶圆的电路图案的微细化，对晶圆的处理的面内均匀性也要求更高的精度，因此，要求在处理组件中调整对基板的处理的面内分布的技术。

专利文献2记载了如下技术：向晶圆W的周缘部供给附加气体来调整气体的浓度，从而调整晶圆W的面内均匀性，但是，存在无法向晶圆W的中心侧供给附加气体的问题。另外，没有考虑将处理气体等离子体化来供给到晶圆的例子。

专利文献1：日本特开2006-324023号公报

专利文献2：日本特许第5192214号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是基于这种情况而作出的，其目的在于提供一种在向载置于处理容器内的基板供给气体时能够调整气体浓度的面内分布的技术。

用于解决问题的方案

本发明的基板处理装置在处理容器内的载置台上载置基板，并供给气体来对基板进行处理，该基板处理装置具备：

分隔部，其与所述载置台相向地设置，设置于配置基板的处理空间与第一气体扩散的扩散空间之间；

第一气体供给部，其用于向所述扩散空间供给所述第一气体；

多个第一气体喷出孔，其以在厚度方向上贯通所述分隔部的方式形成，用于将扩散到所述扩散空间的第一气体喷出到所述处理空间；以及

第二气体供给部，其包含多个第二气体喷出孔，该多个第二气体喷出孔在所述分隔部中的所述处理空间侧的气体喷出面开口，该第二气体供给部与所述第一气体独立地向处理空间供给第二气体，

其中，所述第二气体供给部对处理空间中的在水平方向上进行分割而得到的多个区域中的每个区域分别独立地供给第二气体。

本发明的基板处理方法使用上述的基板处理装置，该基板处理方法的特征在于，包括以下工序：