[发明专利]一种改善半导体鳍部表面粗糙度的方法在审
| 申请号： | 201810268443.7 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108550526A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部；所述鳍部的材料为硅；步骤S02：使用二氟化氙气体对鳍部的表面进行处理，以对鳍部表面的粗糙度进行改善，使整个鳍部表面光滑，增加鳍式场效应晶体管的稳定性。本发明的方法工艺简单，避免了高温及等离子体等对半导体器件的损伤，而且还可与现有工艺兼容，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 半导体鳍部 表面粗糙度 衬底 半导体 鳍式场效应晶体管 等离子体 半导体器件 二氟化氙 工艺兼容 粗糙度 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部；所述鳍部的材料为硅；步骤S02：使用二氟化氙气体对鳍部的表面进行处理，以对鳍部表面的粗糙度进行改善。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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