[发明专利]一种磁阻传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201810264918.5 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108346738A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张文伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 倪金荣 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及传感器技术领域，针对现有磁阻传感器最高分辨率难以提高的问题，而提供一种磁阻传感器及其制造方法。其中磁阻传感器包括半导体衬底；绝缘层，位于半导体衬底上；第一氮化钽层，位于绝缘层上；坡莫合金层，位于所述第一氮化钽层上；第二氮化钽层，位于所述坡莫合金层上；其特殊之处在于：还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层，以及，位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化钽层 磁阻传感器 坡莫合金层 绝缘层 反铁磁性 物质层 衬底 半导体 传感器技术领域 分辨率 制造 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻传感器，包括半导体衬底；绝缘层，位于半导体衬底上；第一氮化钽层，位于绝缘层上；坡莫合金层，位于所述第一氮化钽层上；第二氮化钽层，位于所述坡莫合金层上；其特征在于：还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层，以及，位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。
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