[发明专利]一种获取ICI影响因子及提升纠错能力的方法在审
| 申请号： | 201810258934.3 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108563533A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 胡颖颖 | 申请（专利权）人： | 深圳忆联信息系统有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C29/42;G11C16/34 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 董红海 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获取ICI影响因子及提升纠错能力的方法，其特征在于根据试验预先获得相邻的干扰存储单元存储不同数据对存储单元Cell影响程度，通过读取存储单元Cell的干扰存储单元实际写入的数据，分别获得各个干扰存储单元的子影响因子，最后进行叠加获得最终的ICI影响因子。本发明针对NAND Flash中相邻存储单元间的串扰ICI的影响，获取ICI影响因子，并将其应用到Cell的LLR中以生成更为全面及细化的LUT表，从而提升LDPC纠错能力，从而提升NAND Flash使用寿命的方法。该方法可以解决修改阈值电压无法判断交叠部分分布的问题，并将ICI影响加以应用，提升纠错能力。 | ||
| 搜索关键词： | 影响因子 纠错能力 干扰存储单元 读取存储单元 相邻存储单元 存储单元 使用寿命 阈值电压 串扰 交叠 细化 叠加 应用 写入 存储 试验 | ||
【主权项】：
1.一种获取ICI影响因子的方法，其特征在于根据试验预先获得相邻的干扰存储单元存储不同数据对存储单元Cell影响程度，通过读取存储单元Cell的干扰存储单元实际写入的数据，分别获得各个干扰存储单元的子影响因子，最后进行叠加获得最终的ICI影响因子。
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