[发明专利]用于寻址I2

摘要

本公开提供用于寻址I2C总线上的非易失性存储器的方法和对应的存储器设备。一些实施例包括一种用于寻址用于I2C类型总线上的EEPROM类型的非易失性存储器的集成电路的方法。存储器包括J个硬件标识引脚，其中，J是处于1与3之间的整数，J个硬件标识引脚被分配以限定在J位上的分配代码的相应电位。方法包括：当分配代码等于J位上的固定参考代码时选择性地使用的寻址的第一模式，以及当分配代码不同于参考代码时选择性地使用的寻址的第二模式。在第一模式中，非易失性存储器的存储器平面通过包含于从地址的最后低阶位中和接收的头N个字节中的存储器地址来寻址。在第二模式中，存储器平面通过包含于接收的头N+1个字节中的存储器地址来寻址。

主权项

1.一种用于寻址具有电可擦除可编程类型的非易失性存储器的集成电路的方法，所述非易失性存储器被配置为被连接到I2C类型的总线并且包括存储器平面和J个硬件标识引脚，其中，J是1与3之间的正整数，所述方法包括：将电压分配给所述非易失性存储器的所述J个硬件标识引脚中的每个硬件标识引脚，以形成第一代码；在所述总线上发送从地址；以及在发送所述从地址之后，在所述总线上发送数据字节，其中，所述非易失性存储器的所述存储器平面能用n位寻址，其中，n＝8*N+M，N为非零正整数，并且M为1与3之间的正整数，其中，当所述第一代码等于固定参考代码时选择寻址所述非易失性存储器的第一模式，寻址所述非易失性存储器的所述存储器平面的所述第一模式包括通过包含于所述从地址的最后M个低阶位中和所述数据字节中接收的头N个字节中的存储器地址来寻址所述非易失性存储器的所述存储器平面，以及当所述第一代码不同于所述参考代码时选择寻址所述非易失性存储器的第二模式，寻址所述非易失性存储器的所述存储器平面的所述第二模式包括通过包含于所述数据字节中接收的头N+1个字节中的存储器地址来寻址所述存储器平面。