[发明专利]一种多量子阱发光二极管及其制备方法

摘要

本申请提供了一种多量子阱发光二极管及其制备方法，多量子阱有源层包括由下至上依次生长的多个周期的阱层和垒层交替叠置，其中所述阱层由InGaN材料形成，垒层进一步包括第一GaN层、P型AlGaN层、第二GaN层构成的周期结构，第1‑4层垒层包括一个上述周期结构，第5‑8层垒层包括两个上述周期结构，第9至最后的垒层包括三个上述周期结构，本发明提供的垒层结构有效地降低电子溢出，提高空穴注入及传输效率，避免生长缺陷，有效地提高量子阱量子效率，从而提高发光二极管发光效率。

主权项

1.一种多量子阱发光二极管，所述多量子阱发光二极管包括：衬底，以及依次设置在衬底上的反射层、AlN缓冲层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型GaN层；其特征在于，依次刻蚀所述P型GaN层、所述电子阻挡层、所述多量子阱有源层至所述N型GaN层，形成台面结构，P电极和N电极分别设置在所述P型GaN层和所述N型GaN层上；多量子阱有源层包括由下至上依次生长的多个周期的阱层和垒层交替叠置，其中所述阱层由InGaN材料形成，所述垒层由第一GaN层、P型AlGaN层、第二GaN层构成的周期结构叠置构成，所述多量子阱有源层包括10‑15个周期的所述阱层和所述垒层，其中第1‑4层所述垒层包括一个由所述第一GaN层、P型AlGaN层、第二GaN层构成的周期结构，第5‑8层所述垒层包括两个由所述第一GaN层、P型AlGaN层、第二GaN层构成的周期结构，第9至最后的所述垒层包括三个由所述第一GaN层、P型AlGaN层、第二GaN层构成的周期结构。