[发明专利]一种单质锗的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810247542.7 申请日: 2018-03-23
公开(公告)号: CN108486391A 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 马保军;王晓燕;林克英 申请(专利权)人: 宁夏大学
主分类号: C22B41/00 分类号: C22B41/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 750021 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明公开了一种单质锗的制备方法,所述的单质锗表面光滑,颗粒大小分布均匀。先将二氧化锗和少量的三氧化钼均匀混合,然后混合物在氨气氛围下焙烧制备而成单质锗。此时,在氨气氛围中三氧化钼转化为氮化钼,氮化钼是合成单质锗的催化剂。本发明提供的制备方法简单易行,原料易得,合成时间较短,是一种综合性较强、适用于工业化推广的合成技术。
搜索关键词: 单质 制备 氨气氛围 三氧化钼 氮化钼 合成 焙烧 颗粒大小分布 二氧化锗 合成技术 混合物 锗表面 催化剂 光滑 转化
【主权项】:
1.一种单质锗的制备方法,其特征在于:以二氧化锗为原料,添加三氧化钼MoO3和/或氮化钼Mo2N,在氨气氛围下还原得到单质锗;此时氧化钼在氨气氛围下生成的氮化钼作为合成锗的催化剂。
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