[发明专利]一种铁电薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810237772.5 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108470773B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 廖敏;贾林飞;刘晨;刘恒;彭强祥;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 麦小婵;郝传鑫 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种铁电薄膜晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。
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