[发明专利]半导体装置以及其制作方法在审
| 申请号： | 201810235339.8 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN110299320A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 许智凯;傅思逸;邱淳雅;陈金宏;吴骐廷;林毓翔 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置包括半导体基底、栅极结构、源极/漏极区、源极/漏极接触结构、第一介电层、第一间隙壁以及第一连接结构。栅极结构设置于半导体基底上。源极/漏极区设置于半导体基底中且位于栅极结构的一侧。源极/漏极接触结构设置于源极/漏极区上。第一介电层设置于源极/漏极接触结构以及栅极结构上。第一间隙壁设置于贯穿位于源极/漏极接触结构上的第一介电层的第一接触开孔中。第一连接结构设置于第一接触开孔中。第一连接结构被第一接触开孔中的第一间隙壁围绕，且第一连接结构与源极/漏极接触结构连接。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 接触结构 连接结构 栅极结构 源极/漏极区 半导体基底 半导体装置 间隙壁 介电层 开孔 制作 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基底；栅极结构，设置于该半导体基底上；源极/漏极区，设置于该半导体基底中且位于该栅极结构的一侧；源极/漏极接触结构，设置于该源极/漏极区上；第一介电层，设置于该源极/漏极接触结构以及该栅极结构上；第一间隙壁，设置于贯穿位于该源极/漏极接触结构上的该第一介电层的一第一接触开孔中；以及第一连接结构，设置于该第一接触开孔中，其中该第一连接结构被该第一接触开孔中的该第一间隙壁围绕，且该第一连接结构与该源极/漏极接触结构连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
