[发明专利]一种具有表面应力调制结构的应变PMOSFET

摘要

一种具有表面应力调制结构的应变PMOSFET，属于半导体技术领域。包括半导体衬底、栅氧化层、栅极、源极、漏极和两个重掺杂区，半导体衬底上从下至上依次设置栅氧化层和栅极，两个重掺杂区设置在半导体衬底内并位于栅极两侧，两个重掺杂区分别为源区和漏区，源极设置在源区上，漏极设置在漏区上，半导体衬底上还设置有至少一个绝缘介质层，绝缘介质层设置在重掺杂区远离栅极的一侧并与重掺杂区相邻；整个器件上表面覆盖有一层张应变盖帽层。本发明通过绝缘介质层到栅极之间的槽形结构，抑制了张应变氮化硅盖帽层造成的PMOSFET性能的下降；应用于使用张应变氮化硅盖帽层的CMOS时，还避免了刻蚀PMOSFET表面张应变盖帽层，降低了工艺的复杂度。

主权项

1.一种具有表面应力调制结构的应变PMOSFET，包括半导体衬底(1)、栅氧化层(2)、栅极(3)、源极、漏极和两个重掺杂区，所述半导体衬底(1)上从下至上依次设置所述栅氧化层(2)和所述栅极(3)，所述两个重掺杂区设置在所述半导体衬底(1)内并位于所述栅极(3)两侧，所述两个重掺杂区分别为源区(5)和漏区(6)，所述源极设置在所述源区(5)上并与所述源区(5)接触，所述漏极设置在所述漏区(6)上并与所述漏区(6)接触；其特征在于，所述半导体衬底(1)上还设置有至少一个绝缘介质层(8)，所述绝缘介质层(8)设置在所述重掺杂区远离所述栅极(3)的一侧并与所述重掺杂区相邻；包括所述绝缘介质层(8)、重掺杂区和栅极(3)的上表面覆盖有一层张应变盖帽层(10)。