[发明专利]一种碱清洗干法制绒工艺在审

专利信息
申请号: 201810207602.2 申请日: 2018-03-14
公开(公告)号: CN108493270A 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 韩培勇;黄丽君;刘金浩;上官泉元;李妙 申请(专利权)人: 江西比太科技有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/028
代理公司: 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 代理人: 张红;程立民
地址: 330096 江西省南昌*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种碱清洗干法制绒工艺,包括:1)硅片预清洗阶段依次为使用KOH/H2O2的混合溶液、去离子水、KOH溶液、去离子水、HF/HCL的混合溶液、去离子水清洗硅片后脱水、烘干;2)干法制绒阶段:烘干后的硅片再经过RIE干法制绒后,得到黑硅;3)黑硅清洗阶段依次为使用HF去除硅片表面的反应副产物,再依次使用去离子水、KOH溶液、去离子水、HF/HCL的混合溶液、去离子水清洗硅片后脱水烘干得到黑硅成品。本发明由于避免了使用含有N元素的HNO3及BOE而极大降低了污水处理难度及排废量;RIE后使用碱清洗的微观尖端组织减少,可带来一定程度的提效,工艺时间可大大减少并大大提高产能。
搜索关键词: 去离子水 硅片 混合溶液 碱清洗 黑硅 烘干 清洗 反应副产物 硅片表面 清洗阶段 脱水烘干 排废量 预清洗 产能 提效 去除 脱水 污水处理 微观
【主权项】:
1.一种碱清洗干法制绒工艺,其特征在于,包括如下步骤:1)硅片预清洗阶段依次为:①使用KOH/H2O2的混合溶液清洗硅片;②使用常温去离子水清洗硅片;③使用KOH清洗硅片;④使用常温去离子水清洗硅片;⑤常温下使用HF/HCL的混合溶液清洗硅片;⑥使用常温去离子水清洗硅片;⑦硅片脱水,烘干;2)干法制绒阶段:烘干后的硅片再经过RIE干法制绒后,得到反射率为3.5%‑6.5%的黑硅;3)黑硅清洗阶段依次为:①使用HF去除硅片表面的反应副产物;②使用常温去离子水清洗硅片;③使用KOH扩大硅片的微观孔洞,洗后硅片表面反射率为9%‑15%;④使用常温去离子水清洗硅片;⑤常温下使用HF/HCL的混合溶液清洗硅片;⑥使用常温去离子水清洗硅片;⑦硅片脱水烘干得到黑硅成品。
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