[发明专利]一种CMOS数字集成线路板的制作工艺

摘要

本发明公开了一种CMOS数字集成线路板的制作工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1、衬底的选择；S2、制作n阱；S3、场区氧化；S4、制作多晶硅栅；S5、形成源、漏区；S6、形成金属互连线；还包括在步骤S6做好互连线之后还要在硅片上覆盖一层磷硅玻璃钝化膜，进行一次光刻把集成电路的硅片的引出端，并压点暴露出来，在封装时使硅片的压点和管壳的相应管脚连接起来。

主权项

1.一种CMOS数字集成线路板的制作工艺，其特征在于：包括以下步骤：：S1、衬底的选择：选择衬底电阻率较小，但具有外延层的外延硅片作为衬底；S2、制作n阱：首先对原始硅片进行热氧化，形成阱区注入的掩蔽层，然后用n阱掩膜板光刻出n阱注入区域，之后进行p/AS掺杂，掺杂之后进行高温退火，温度为300～350℃，持续时间为3～5min；S3、场区氧化：先在硅片上生成一薄层SiO2层作为缓冲层来减少硅和氮化硅之间的应力，然后利用掩膜板进行光刻，光刻之后进行热氧化，消耗0.46μm厚的硅，在场区形成1μm厚的SiO2隔离层以及0.54μm厚的场区与有源区；S4、制作多晶硅栅：清洁有源区表面，首先在表面生长一薄层栅极氧化层，然后进行淀积多晶硅并进行掺杂，最后利用多晶硅栅的掩膜板反刻多晶硅，保留下来的多晶硅作为MOS管的栅极，作为部分连线把NMOS和PMOS的栅极连接起来；S5、形成源、漏区：利用掩膜板对NMOS和PMOS的源漏区分别进行光刻和离子注入，二者都是以光刻胶作为掩蔽膜，n+区和p+区注入之后同时进行热退火处理，温度为100～150℃，持续时间为5～10min；注入时，由于有多晶硅栅遮蔽的有源区区域不能进行离子的注入，因而自然形成MOS管的沟道区；S6、形成金属互连线：先在整个硅片上淀积较厚的氧化层；然后，通过光刻开出有源区和多晶硅栅的引线孔，刻出引线孔后淀积金属铜与铝，在引线孔处，金属直接和多晶硅与有源区接触，无引线孔处金属通过厚的氧化层和下面绝缘，最后通过光刻形成电路所要求的金属互连线图形。