[发明专利]一种晶圆间金属层互联工艺

摘要

本申请一种金属层互连工艺，涉及传感器的制备领域，通过在互连线的制备工艺时，直接刻蚀器件晶圆至底部金属层上方的介质层，以形成互连凹槽，并基于该互连凹槽继续刻蚀其下方的薄膜至逻辑晶圆的顶部金属层的保护层，形成互连通孔后，同时去除互连通孔和互联凹槽底部的薄膜，以将上述的底部金属层和顶部金属层暴露，进而形成连接上述器件晶圆和逻辑晶圆的互连线，相较于传统制备互连线的工艺，本申请请求保护的技术方案能极大简化工艺步骤，进而大大降低工艺成本，便于大规模的生产和应用。

主权项

1.一种金属层互连工艺，其特征在于，所述工艺包括：提供一由第一晶圆和第二晶圆键合形成的键合晶圆，且在该键合晶圆中，所述第二晶圆位于所述第一晶圆的上方，所述第一晶圆包括第一金属层及覆盖在该第一金属层上表面的第一绝缘层，所述第二晶圆包括第二金属层及覆盖在该第二金属层上表面的第二绝缘层；部分刻蚀所述第二晶圆至所述第二绝缘层的上表面，形成互连凹槽；制备第三绝缘层，并部分刻蚀位于所述互连凹槽底部的所述第三绝缘层至所述第一绝缘层的上表面，形成互连孔；采用刻蚀工艺，去除所述互连孔所暴露的第一绝缘层至所述第一金属层的上表面，同时去除所述互连凹槽所暴露的第二绝缘层至所述第二金属层的上表面；于所述互连孔和所述互连凹槽中填充金属材料，以形成互连结构。