[发明专利]光检测装置在审
申请号: | 201810198829.5 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108807585A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 岛崎直树;玉置德彦;宍戸三四郎 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种具有新型的构成的光检测装置。该光检测装置具备:半导体基板,包含第一杂质区域和第二杂质区域;栅极绝缘层,位于被上述半导体基板的上述第一杂质区域和上述第二杂质区域所夹持的区域上,并且包含光电转换层;上述栅极绝缘层上的透明栅极电极;第一电荷传输通路,根据由光向上述光电转换层的入射引起的上述光电转换层的介电常数的变化,传输与在上述第一杂质区域和上述第二杂质区域之间产生的电流对应的信号电荷;第二电荷传输通路,从上述第一电荷传输通路的中途分支;第一电荷储存部,储存上述信号电荷中的经由上述第二电荷传输通路传输的电荷;以及第一栅极,切换经由上述第二电荷传输通路的电荷的传输和切断。 | ||
搜索关键词: | 杂质区域 电荷传输通路 光电转换层 光检测装置 半导体基板 栅极绝缘层 信号电荷 电荷 传输 透明栅极电极 电荷储存 介电常数 中途分支 夹持 入射 储存 | ||
【主权项】:
1.一种光检测装置,其具备:半导体基板,包含第一杂质区域和第二杂质区域;栅极绝缘层,位于被所述半导体基板的所述第一杂质区域和所述第二杂质区域所夹持的区域上,并且包含光电转换层;所述栅极绝缘层上的透明栅极电极;第一电荷传输通路,根据由光向所述光电转换层的入射引起的所述光电转换层的介电常数的变化,传输与在所述第一杂质区域和所述第二杂质区域之间产生的电流对应的信号电荷;第二电荷传输通路,从所述第一电荷传输通路的中途分支;第一电荷储存部,储存所述信号电荷中的经由所述第二电荷传输通路传输的电荷;以及第一栅极,切换经由所述第二电荷传输通路的电荷的传输和切断。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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