[发明专利]集成电路器件有效
申请号: | 201810189472.4 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN108573969B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 李俊坤;富田隆治;李道仙;金哲性;李到玹 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L29/78 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成电路器件包括至少一个鳍型有源区、在至少一个鳍型有源区上的栅线以及在栅线的至少一侧的至少一个鳍型有源区上的源极/漏极区。第一导电插塞连接到源极/漏极区并且包括钴。第二导电插塞连接到栅线并与第一导电插塞间隔开。第三导电插塞连接到第一导电插塞和第二导电插塞的每个。第三导电插塞电连接第一导电插塞和第二导电插塞。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路器件,包括:衬底,其包括在第一方向上延伸的至少一个鳍型有源区;栅线,其在所述至少一个鳍型有源区上并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸;源极/漏极区,其在所述栅线的至少一侧的所述至少一个鳍型有源区上;第一导电插塞,其被连接到所述源极/漏极区并包括钴;第二导电插塞,其被连接到所述栅线,所述第二导电插塞与所述第一导电插塞间隔开;以及第三导电插塞,其被连接到所述第一导电插塞和所述第二导电插塞的每个,所述第三导电插塞电连接所述第一导电插塞和所述第二导电插塞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810189472.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于椭圆轨道的孔内源极栅极交替布线方法
- 下一篇:保护装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的