[发明专利]微波等离子反应装置以及微波等离子反应系统在审
申请号: | 201810181821.8 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN110230037A | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 丁召民 | 申请(专利权)人: | 丁召民 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/517 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 杨勋 |
地址: | 276800 山东省日照市东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供的一种微波等离子反应装置以及微波等离子反应系统,涉及金刚石制造技术领域,包括装置腔体;装置腔体包括上腔体和下腔体,上腔体设置在下腔体的上部;装置腔体上设置有进气口和至少一个出气口;上腔体内设置有第一微波反射体和第二微波反射体;第一微波反射体设置在上腔体的顶部,第二微波反射体设置在第一微波反射体的内部;下腔体的底部设置有天线外导体和天线内导体;天线内导体设置在天线外导体的内部;天线内导体的顶部形成有沉积台,沉积台上设置有基片,基片上设置有等离子体。在上述技术方案中,该微波等离子反应装置在用来制造金刚石材料的时候,可以提高装置的运行能力,在高功率条件下进行高品质金刚石材料的合成。 | ||
搜索关键词: | 微波等离子 微波反射体 天线内导体 反应装置 上腔体 装置腔 金刚石材料 天线外导体 反应系统 下腔体 进气口 等离子体 金刚石制造 提高装置 运行能力 沉积台 出气口 高功率 高品质 腔体 上腔 沉积 合成 体内 制造 | ||
【主权项】:
1.一种微波等离子反应装置,其特征在于,包括装置腔体;所述装置腔体包括上腔体和下腔体,所述上腔体设置在所述下腔体的上部;所述装置腔体上设置有进气口和至少一个出气口;所述上腔体内设置有第一微波反射体和第二微波反射体;所述第一微波反射体设置在所述上腔体的顶部,所述第二微波反射体设置在所述第一微波反射体的内部;所述下腔体的底部设置有天线外导体和天线内导体;所述天线内导体设置在所述天线外导体的内部;所述天线内导体的顶部形成有沉积台,所述沉积台上设置有基片,所述基片上设置有等离子体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的