[发明专利]远程等离子体膜沉积中的晶片级均匀性控制

摘要

本发明涉及远程等离子体膜沉积中的晶片级均匀性控制。提供一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件。该组件包括具有从基座的中心轴线延伸到外边缘的基座顶部表面的基座，基座顶部表面具有用于支撑晶片的多个晶片支撑件。基座台阶具有从台阶内径朝向基座的外边缘延伸的台阶表面。聚焦环搁置在台阶表面上并具有从聚焦环的外径延伸到台面内径的台面。搁架部在台面内径处从台面表面向下形成台阶，并且在台面内径与聚焦环的内径之间延伸。搁架部被配置成在处理温度下支撑晶片的晶片底部表面的至少一部分。

主权项

1.一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件，其包括：基座，其具有从所述基座的中心轴线延伸到外边缘的基座顶部表面，所述基座顶部表面具有多个晶片支撑件，所述多个晶片支撑件被构造成在所述基座顶部表面上方的晶片支撑水平处支撑晶片；所述基座的基座台阶，所述基座台阶具有台阶内径和从所述台阶内径朝向所述基座的所述外边缘延伸的台阶表面；和聚焦环，所述聚焦环被配置为搁置在所述台阶表面上，所述聚焦环具有从所述聚焦环的外径延伸到台面内径的台面，所述聚焦环具有从所述台面内径处的台面表面向下形成台阶的搁架部，所述搁架部在所述台面内径与所述聚焦环的内径之间延伸；其中所述搁架部被配置为在处理期间支撑所述晶片的晶片底部表面的至少一部分。