[发明专利]气体供给装置、气体供给方法和成膜方法有效
申请号: | 201810175365.6 | 申请日: | 2018-03-02 |
公开(公告)号: | CN108531889B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 山口克昌;成嶋健索;八木宏宪;关户幸一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/14 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够使处理开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置,其使原料容器内的原料气化,将原料气体与载气一起供给到处理容器内,包括:设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐;以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路;存储部,其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力;和控制部,其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量,使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前,所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力。 | ||
搜索关键词: | 气体 供给 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种气体供给装置,其使原料容器内的原料气化,将原料气体与载气一起供给到处理容器内,所述气体供给装置的特征在于,包括:设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐;以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路;存储部,其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力;和控制部,其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量,使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前,所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810175365.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的