[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

摘要

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为，控制在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布。衬底处理装置具有：处理室，对衬底进行形成包含主元素的膜的处理；第一喷嘴，对处理室内的衬底供给包含主元素的原料；第二喷嘴，设置于与第一喷嘴分开的位置，对处理室内的衬底供给原料；第三喷嘴，对处理室内的衬底供给反应物；和将处理室内的气氛排气的多个排气口，其中，在俯视下，多个排气口分别设置于与第一喷嘴的第一气体喷出孔及第二喷嘴的第二气体喷出孔不相对的位置。

主权项

1.衬底处理装置，其具有：处理室，对衬底进行形成包含主元素的膜的处理；第一喷嘴，对所述处理室内的衬底供给包含所述主元素的原料；第二喷嘴，设置于与所述第一喷嘴分开的位置，对所述处理室内的衬底供给所述原料；第三喷嘴，对所述处理室内的衬底供给反应物；和将所述处理室内的气氛排气的多个排气口，其中，在俯视下，所述多个排气口分别设置于与所述第一喷嘴的第一气体喷出孔及所述第二喷嘴的第二气体喷出孔不相对的位置。