[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

说明书

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为，控制在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布。衬底处理装置具有：处理室，对衬底进行形成包含主元素的膜的处理；第一喷嘴，对处理室内的衬底供给包含主元素的原料；第二喷嘴，设置于与第一喷嘴分开的位置，对处理室内的衬底供给原料；第三喷嘴，对处理室内的衬底供给反应物；和将处理室内的气氛排气的多个排气口，其中，在俯视下，多个排气口分别设置于与第一喷嘴的第一气体喷出孔及第二喷嘴的第二气体喷出孔不相对的位置。

技术领域

本发明涉及处理衬底的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行对衬底供给原料及反应物、在从而衬底之上形成膜的处理(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-236129号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供能够控制在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布的技术。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有：处理室，对衬底进行形成包含主元素的膜的处理；第一喷嘴，对所述处理室内的衬底供给包含所述主元素的原料；第二喷嘴，设置于与所述第一喷嘴分开的位置，对所述处理室内的衬底供给所述原料；第三喷嘴，对所述处理室内的衬底供给反应物；和将所述处理室内的气氛排气的多个排气口，其中，所述多个排气口分别设置于在俯视下与所述第一喷嘴的第一气体喷出孔及所述第二喷嘴的第二气体喷出孔不相对的位置。

发明效果

根据本发明，能够控制在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布。

附图说明

图1：为本发明的一实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以纵剖面图表示处理炉部分的图。

图2：为本发明的一实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线剖面图表示处理炉部分的图。

图3：为本发明的一实施方式中适合使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是以框图表示控制器的控制系统的图。

图4：为示出本发明的一实施方式的成膜顺序的图。

图5：为示出本发明的一实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的变形例剖面构成图。

图6：(a)、(b)分别为示出本发明的一实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的变形例的概略构成图。

图7：(a)为示出本发明的一实施方式中适合使用的第一～第三喷嘴的构成例的图，(b)～(e)分别为示出第一、第二喷嘴的变形例的图。

图8：(a)为示意性地示出在使气体喷出孔与排气口相对的情况下的处理室内的气体的流动的图，(b)为示意性地示出在使气体喷出孔与排气口不相对的情况下的处理室内的气体的流动的图。

图9：(a)为示出向处理室内供给的HCDS气体的温度的图，(b)为示出HCDS气体的热分解特性的图。

附图标记说明

200 晶片(衬底)

201 处理室

249a 喷嘴(第一喷嘴)

249b 喷嘴(第二喷嘴)

249c 喷嘴(第三喷嘴)