[发明专利]一种新型氧化镓基PIN结构紫外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型氧化镓(Ga2O3)基PIN结构紫外光电探测器及其制备方法。该紫外光电探测器的结构包括：由下至上依次设置的衬底(101)、缓冲层(102)、n型Ga2O3层(103)、非掺杂i型NiO/TiO2超晶格吸收层(104)、p型Ga2O3层(105)、在n型Ga2O3层(103)上引出的n型欧姆电极(107)，在p型Ga2O3层(106)上引出的p型欧姆电极(106)。本发明提供的采用多周期非掺杂i型NiO/TiO2超晶格作为吸收层的结构，能够有效解决紫外光电探测器中由于电子和空穴的离化系数相近而导致的紫外探测器不灵敏，有助于提高探测器对紫外信号的响应度和稳定性。本发明提供的一种结构新颖、灵敏度高，特别适用于深紫外探测的紫外光电探测器。

主权项

1.一种新型氧化镓基PIN结构紫外光电探测器，其特征在于：由下至上依次设置的衬底(101)、缓冲层(102)、n型Ga2O3层(103)、非掺杂i型NiO/TiO2超晶格吸收层(104)、p型Ga2O3层(105)、在n型Ga2O3层(103)上引出的n型欧姆电极(107)，在p型Ga2O3层(105)上引出的p型欧姆电极(106)。