[发明专利]GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件在审
| 申请号： | 201810168886.9 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198856A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 崔玉兴;谭永亮;樊帆;毕胜赢;胡泽先;张力江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/285;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件，该方法包括：在GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别形成欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层从下至上依次包括Ti金属层、Al金属层、Ta金属层、Mo金属层和Au金属层；所述GaN晶圆从下至上依次包括衬底、GaN外延层和势垒层；将形成所述欧姆接触金属层后的所述GaN晶圆进行快速热退火处理，形成欧姆接触电极。本发明能够使欧姆接触金属层在高温退火工艺后金属表面平整、边缘光滑整齐，从而提高器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触金属层 金属层 欧姆接触电极 晶圆 电极 势垒层 半导体技术领域 快速热退火 边缘光滑 高温退火 金属表面 漏电极 上表面 源电极 衬底 制作 平整 整齐 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，包括：在GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别形成欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层从下至上依次包括Ti金属层、Al金属层、Ta金属层、Mo金属层和Au金属层；所述GaN晶圆从下至上依次包括衬底、GaN外延层和势垒层；将形成所述欧姆接触金属层后的所述GaN晶圆进行快速热退火处理，形成欧姆接触电极。
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