[发明专利]一种金属管内生长晶体包层的方法

摘要

本发明涉及一种金属管内生长晶体包层的方法，包括以下步骤：将晶体光纤插入金属套管里，套管的芯径大于光纤的直径0.1‑0.8mm，套管下端是直径和晶体光纤直径相同的金属丝；安装到晶体生长提拉炉籽晶杆上，加热提拉炉坩埚内的原料至熔化，下降籽晶杆，使金属套管下端金属丝部分浸入熔体中，金属丝上端露出液面部分长度2‑3mm，熔体即在毛细作用下沿金属套管和晶体光纤及金属丝之间的间隙爬升；继续升高坩埚内熔体的温度，使熔体充满金属套管和晶体光纤的间隙；以5‑10mm/h的拉速将金属套管拉出坩埚内的熔体，降到室温，得到带有晶体包层的晶体光纤。与现有技术相比，本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。

主权项

1.一种金属管内生长晶体包层的方法，其特征在于，包括以下步骤：S01，用微下拉或导模法，或是激光加热基座法得到直径0.1‑3mm的晶体光纤；S02，将步骤S01得到的晶体光纤插入金属套管里，套管的芯径大于光纤的直径0.1‑0.8mm，套管下端是直径和晶体光纤直径相同的金属丝；S03，将步骤S02得到的金属套管、晶体光纤、金属丝组合安装到晶体生长提拉炉籽晶杆上；S04，加热提拉炉坩埚内的原料至熔化，下降籽晶杆，使金属套管下端金属丝部分浸入熔体中，金属丝上端露出液面部分长度2‑3mm，熔体即在毛细作用下沿金属套管和晶体光纤及金属丝之间的间隙爬升；S05，继续升高坩埚内熔体的温度，使熔体充满金属套管和晶体光纤的间隙；S06，以5‑10mm/h的拉速将金属套管拉出坩埚内的熔体；S07，开始以200‑300℃的降温速率降到室温，得到带有晶体包层的晶体光纤；S08，将晶体包层的晶体光纤从金属套管中取出，整个过程结束。