[发明专利]一种金属管内生长晶体包层的方法有效
| 申请号： | 201810163894.4 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108411359B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 徐军;王东海;李纳;薛艳艳;罗平;王庆国;唐慧丽 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;C30B15/00;C30B29/24;H01S3/067 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属管 生长 晶体 包层 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属管内生长晶体包层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S01，用微下拉或导模法，或是激光加热基座法得到直径0.1-3mm的晶体光纤；
S02，将步骤S01得到的晶体光纤插入金属套管里，套管的芯径大于光纤的直径0.1-0.8mm，套管下端是直径和晶体光纤直径相同的金属丝；
S03，将步骤S02得到的金属套管、晶体光纤、金属丝组合安装到晶体生长提拉炉籽晶杆上；
S04，加热提拉炉坩埚内的原料至熔化，下降籽晶杆，使金属套管下端金属丝部分浸入熔体中，金属丝上端露出液面部分长度2-3mm，熔体即在毛细作用下沿金属套管和晶体光纤及金属丝之间的间隙爬升；
S05，继续升高坩埚内熔体的温度，使熔体充满金属套管和晶体光纤的间隙；
S06，以5-10mm/h的拉速将金属套管拉出坩埚内的熔体；
S07，开始以200-300℃的降温速率降到室温，得到带有晶体包层的晶体光纤；
S08，将晶体包层的晶体光纤从金属套管中取出，整个过程结束；
所述的晶体光纤的熔点温度高于晶体包层材料熔点温度50-500℃；
所述的金属丝的长度为20-30mm。
2.根据权利要求1所述的一种金属管内生长晶体包层的方法，其特征在于，所述的晶体光纤的折射率大于晶体包层材料折射率。
3.根据权利要求1所述的一种金属管内生长晶体包层的方法，其特征在于，所述的金属套管和金属丝的材料是钨、钼、铱或铂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学，未经同济大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810163894.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：区熔炉热场线圈的循环水路结构
- 下一篇：一种全氮生长直拉硅单晶的方法
