[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810155946.3 | 申请日： | 2018-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807205A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 丰川滋也;山口修平;长谷川晃二 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，以高精度检测图案化不良。半导体芯片具有在监视图案中包括的评价图案(VP1)。该评价图案(VP1)包括在x方向上相互对置的图案(P1)与图案(P2)。然后，图案(P1)由向x方向中的远离图案(P2)的方向突出的凸形状构成。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 半导体装置 半导体芯片 高精度检测 凸形状 图案化 对置 制造 监视 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，包括形成有产品图案以及与所述产品图案不同的监视图案的半导体芯片，所述监视图案具有包括在第1方向上相互对置的第1图案与第2图案的评价图案，所述第1图案由向所述第1方向中的远离所述第2图案的方向突出的凸形状构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
