[发明专利]可变衰减器在审
| 申请号： | 201810155106.7 | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108512527A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 大矢章雄;近藤诚 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24;H01P1/22 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;崔利梅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种可变衰减器(v‑ATT)。v‑ATT包括输入端子、输出端子、在所述输入和输出端子之间的传输线、设置在所述传输线和地之间的至少两个级、以及偏压单元。每个级包括场效应晶体管(FET)，其根据提供至栅极的偏压来改变所述传输线和所述地之间的阻抗。偏压单元产生偏压，每个偏压都提供给各个级。所述v‑ATT的特征之一是：至少一个级接收至少一个偏压，所述至少一个偏压不同于提供至所述至少一个级中的其他级的偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 传输线 可变衰减器 偏压单元 输出端子 场效应晶体管 输入端子 阻抗 | ||
【主权项】：
1.一种可变衰减器，包括：输入端子，其接收包含高频分量的信号；输出端子，其输出根据在所述输入端子处接收的所述信号而衰减的另一信号；传输线，其将所述输入端子与所述输出端子、所述传输线耦接；第一级，其连接在所述传输线和地之间，所述第一级包括第一场效应晶体管，第一场效应晶体管具有：栅极、与所述传输线连接的电流端子、以及连接到所述地的另一电流端子，所述场效应晶体管根据向所述栅极提供的第一偏压，来改变所述电流端子与所述另一电流端子之间的阻抗；第二级，其连接在所述传输线和所述地之间，所述第二级包括第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管具有：栅极、与所述传输线连接的电流端子、以及连接到所述地的另一电流端子，所述第二场效应晶体管根据向其栅极提供的第二偏压，来改变其所述电流端子与所述另一电流端子之间的阻抗；偏压单元，其包括输入端，所述偏压单元根据提供至所述偏压单元的输入端的控制信号来产生所述第一偏压和所述第二偏压，所述偏压单元向所述第一级提供所述第一偏压，并且向所述第二级提供所述第二偏压，其中，所述第一偏压不同于所述第二偏压且独立于所述第二偏压。
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