[发明专利]可变衰减器

权利要求书

1.一种可变衰减器，包括：

输入端子，其接收包含高频分量的信号；

输出端子，其输出根据在所述输入端子处接收的所述信号而衰减的另一信号；

传输线，其将所述输入端子与所述输出端子、所述传输线耦接；

第一级，其连接在所述传输线和地之间，所述第一级包括第一场效应晶体管，第一场效应晶体管具有：栅极、与所述传输线连接的电流端子、以及连接到所述地的另一电流端子，所述场效应晶体管根据向所述栅极提供的第一偏压，来改变所述电流端子与所述另一电流端子之间的阻抗；

第二级，其连接在所述传输线和所述地之间，所述第二级包括第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管具有：栅极、与所述传输线连接的电流端子、以及连接到所述地的另一电流端子，所述第二场效应晶体管根据向其栅极提供的第二偏压，来改变其所述电流端子与所述另一电流端子之间的阻抗；

偏压单元，其包括输入端，所述偏压单元根据提供至所述偏压单元的输入端的控制信号来产生所述第一偏压和所述第二偏压，所述偏压单元向所述第一级提供所述第一偏压，并且向所述第二级提供所述第二偏压，

其中，所述第一偏压不同于所述第二偏压且独立于所述第二偏压。

2.根据权利要求1所述的可变衰减器，

其中，所述第一偏压的范围和所述第一偏压的范围的中心都与所述第二偏压的范围和所述第二偏压的范围的中心不同。

3.根据权利要求1所述的可变衰减器，

还包括连接在所述传输线和所述地之间的另一级，所述另一级包括另一场效应晶体管，所述另一场效应晶体管具有：栅极、与所述传输线连接的电流端子、以及与所述地连接的另一电流端子，所述另一场效应晶体管根据提供至其栅极的另一偏压，来改变所述另一场效应晶体管的所述电流端子与所述另一电流端子之间的阻抗，

其中，至少提供至所述第一级的所述第一偏压不同于所述第二偏压和所述另一偏压。

4.根据权利要求3所述的可变衰减器，

其中，所述第一级被布置为最靠近所述输入端子。

5.根据权利要求1所述的可变衰减器，

其中，所述第一级被布置为更靠近所述输入端子并且包括额外的场效应晶体管，所述第一场效应晶体管和所述额外的场效应晶体管构成所述传输线和所述地之间的级联连接，以及

其中，所述第一场效应晶体管和所述额外的场效应晶体管以其各自的栅极来接收所述第一偏压。

6.根据权利要求5所述的可变衰减器，

其中，所述第二级被布置为更靠近所述输出端子并且不包括额外的场效应晶体管。

7.根据权利要求1所述的可变衰减器，

其中，所述偏压单元包括第一电阻分压器和第二电阻分压器，所述第一电阻分压器具有第一分压比，并且所述第二电阻分压器具有不同于所述第一分压比的第二分压比，所述第一偏压由所述第一电阻分压器通过根据所述第一分压比将所述控制信号进行分压而形成，所述第二偏压由所述第二电阻分压器通过根据所述第二分压比对所述控制信号进行分压而形成。

8.根据权利要求7所述的可变衰减器，

其中，至少所述第一电阻分压器包括二极管，所述二极管利用所述二极管的正向电压来使所述第一偏压偏移。