[发明专利]可变衰减器

说明书

公开了一种可变衰减器(v‑ATT)。v‑ATT包括输入端子、输出端子、在所述输入和输出端子之间的传输线、设置在所述传输线和地之间的至少两个级、以及偏压单元。每个级包括场效应晶体管(FET)，其根据提供至栅极的偏压来改变所述传输线和所述地之间的阻抗。偏压单元产生偏压，每个偏压都提供给各个级。所述v‑ATT的特征之一是：至少一个级接收至少一个偏压，所述至少一个偏压不同于提供至所述至少一个级中的其他级的偏压。

技术领域

本发明涉及一种可变衰减器，具体而言，涉及一种用于包含高频分量的信号、并且其衰减可以通过控制信号来改变的衰减器。

背景技术

衰减可以由控制信号来控制的可变衰减器在本领域中被称为电压可变衰减器(v-ATT)。日本专利申请JP-2000-124709A和JP-2009-200671A公开了这种v-ATT。然而，这种传统的v-ATT已经表现出以下响应，即：当衰减的范围变宽时，通过其的信号失真或者增加了所述信号的高次谐波；也就是说，传统的v-ATT受制于：衰减的范围相对于信号失真变得折衷。

发明内容

本发明的一个方面涉及可变衰减器(v-ATT)，所述可变衰减器包括输入端子、输出端子、传输线、第一级和第二级、以及偏压单元。输入端子接收要衰减的信号。输出端子输出从在输入端子处输入的信号得到的衰减信号。传输线连接输入端子和输出端子，并在其上承载衰减信号。第一级和第二级设置在传输线和地之间，每个级包括具有栅极以及分别与传输线和地连接的两个电流端子的场效应晶体管(FET)。FET根据向其栅极提供的偏压来改变两个电流端子之间的阻抗。偏压单元包括输入端子，并根据向偏压单元的输入端子提供的控制信号来产生提供至第一级和第二级中的第一FET和第二FET的偏压。偏压单元将由此产生的偏压提供至第一级和第二级。本发明的特征是提供至第一级和第二级的偏压彼此不同并且彼此独立。

附图说明

现将通过参照附图，仅通过示例的方式来描述本发明，在附图中：

图1显示了根据本发明第一实施例的可变衰减器(v-ATT)的电路图；

图2A和图2B将本发明(图2B)的可变衰减器的相对于控制信号的、漏极电流变化ΔId和三阶截点(IIP3)幅值变化与传统v-ATT的情形进行比较；

图3A和图3B将图11A中显示的传统v-ATT的衰减与图11B中的本发明的第一实施例的v-ATT的衰减进行比较；

图4显示了根据本发明第二实施例的另一v-ATT的电路图；

图5A和图5B将根据本发明第二实施例的v-ATT的衰减和通过IIP3测量的失真性能与图11B中显示的传统v-ATT的情形进行比较；

图6显示了根据本发明第三实施例的电子设备的功能框图；

图7A显示了根据图1中显示的第一实施例的v-ATT修改的v-ATT的电路图，并且图7B显示了根据本发明的第四实施例的另一v-ATT的电路图；

图8A和图8B分别显示了根据第一实施例的v-ATT修改的v-ATT的栅极偏压和衰减；

图9A和图9B分别显示了根据本发明第四实施例的相对于控制信号的v-ATT的衰减性能和FET的栅极偏压；

图10显示了根据图8B中显示的第四实施例的v-ATT修改的v-ATT的电路图；

图11A和图11B显示了传统v-ATT的电路图；

图12A和图12B显示了图11A和图11B中显示的传统v-ATT的相对于控制信号的、通过IIP3测量的失真性能以及衰减性能；以及图13显示了图11A中显示的传统v-ATT中的、相对于控制信号的变化的漏极电流的变化。

具体实施方式