[发明专利]半导体装置和电子设备在审
| 申请号： | 201810153665.4 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110190118A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 大泷健嗣;押野雄一;森川直树;刘会涛 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：沟槽，其位于半导体衬底中；第一绝缘体，其填充所述沟槽的至少一部分；第二绝缘体，其位于所述第一绝缘体上部，与所述第一绝缘体共同填充所述沟槽；第一电极，其至少覆盖所述第二绝缘体的上表面，其中，所述第二绝缘体的至少所述上表面中磷的浓度低于所述第一绝缘体中磷的浓度。根据本申请，在电极和具有较高磷浓度的绝缘体之间设置具有较低磷浓度的绝缘体，由此，减少绝缘体中较高浓度的磷对电极的腐蚀，提高半导体装置的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 半导体装置 电子设备 上表面 填充 第一电极 对电极 电极 衬底 低磷 高磷 申请 半导体 腐蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：沟槽，其位于半导体衬底中；第一绝缘体，其填充所述沟槽的至少一部分；第二绝缘体，其位于所述第一绝缘体上部，与所述第一绝缘体共同填充所述沟槽；第一电极，其至少覆盖所述第二绝缘体的上表面，其中，所述第二绝缘体的至少所述上表面中磷的浓度低于所述第一绝缘体中磷的浓度。
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