[发明专利]基板处理方法、记录介质和基板处理装置有效
| 申请号： | 201810152200.7 | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN108695193B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 大桥直史;高野智;丰田一行;松井俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法、记录介质和基板处理装置，是提高设备特性的均匀性的技术。本申请提供一种基板处理方法，其具有：将具有形成有图案的硬掩模的基板搬入处理室的工序，向所述处理室供给含金属气体来达到第一压力的第一浸透工序，以及在所述第一浸透工序之后，向所述处理室供给非活性气体来达到比所述第一压力低的第二压力的浓度分布调整工序。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 记录 介质 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，具有：将具有形成有图案的硬掩模的基板搬入处理室的工序，向所述处理室供给含金属气体来达到第一压力的第一浸透工序，以及在所述第一浸透工序之后，向所述处理室供给非活性气体来达到比所述第一压力低的第二压力的浓度分布调整工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
