[发明专利]用于静电放电（ESD）保护的装置和方法在审
| 申请号： | 201810151203.9 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108511434A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟;曾韦智 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明描述静电放电(ESD)保护装置和操作ESD保护装置的方法的实施例。在一个实施例中，ESD保护装置包括：第一双极装置，其连接到第一节点；第二双极装置，其连接到所述第一双极装置且连接到第二节点；以及金属氧化物半导体(MOS)装置，其连接到所述第一节点和所述第二节点且连接到所述第一双极装置和所述第二双极装置，并且被配置成响应于在所述第一节点与所述第二节点之间接收的ESD脉冲而对电流进行分流。所述第一双极装置、所述第二双极装置和所述MOS装置形成于深阱结构上。还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 双极 静电放电 金属氧化物半导体 保护装置 深阱结构 分流 响应 配置 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电(ESD)保护装置，其特征在于，所述ESD保护装置包括：第一双极装置，其连接到第一节点；第二双极装置，其连接到所述第一双极装置且连接到第二节点；以及金属氧化物半导体(MOS)装置，其连接到所述第一节点和所述第二节点且连接到所述第一双极装置和所述第二双极装置，并且被配置成响应于在所述第一节点与所述第二节点之间接收的ESD脉冲而对电流进行分流，其中所述第一双极装置、所述第二双极装置和所述MOS装置形成于深阱结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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