[发明专利]一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置有效
申请号: | 201810142878.7 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN110161799B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 张小祥;刘明悬;郭会斌;宋勇志;李小龙;徐文清;吴祖谋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置,其中由于在相移掩模板中,由于在第一遮光部的两侧设置有的补偿遮光部,因此,可以利用补偿遮光部来降低第一遮光部两侧的曝光强度,从而避免曝光时在第一遮光部对应的区域出现过曝光的问题。并且将补偿遮光部的宽度设置为小于曝光机的分辨率,由于曝光机的分辨率不足,因此补偿遮光部不能被曝光出来,从而保证补偿遮光部对应的区域的光刻胶不会残留,即保证补偿遮光部对应的区域不形成图形。 | ||
搜索关键词: | 一种 相移 模板 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种相移掩模板,其特征在于,包括基板、位于所述基板上的第一遮光部,以及位于所述第一遮光部两侧的补偿遮光部;所述补偿遮光部的宽度小于所述采用所述相移掩模板进行曝光的曝光机的分辨率;所述补偿遮光部与所述第一遮光部之间具有间隙,且所述间隙宽度在预设范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810142878.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可循环再生的彩色漂定液
- 下一篇:一种光罩损伤修复方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备