[发明专利]垂直纳米线晶体管与其制作方法有效
| 申请号： | 201810136625.9 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108428634B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;张青竹;张兆浩;许高博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种垂直纳米线晶体管与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供基底；步骤S2，刻蚀去除部分的基底，得到衬底与位于衬底表面上的多个间隔的纳米线，各纳米线包括从下至上依次连接的至少一个子纳米线，各子纳米线从下至上依次连接的第一端部、中间部以及第二端部，其中，与衬底连接的子纳米线通过第一端部与衬底连接。该制作方法使得导电沟道的质量与纳米线的界面特性均较好。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 纳米 晶体管 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直纳米线晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，提供基底(10)；步骤S2，刻蚀去除部分的所述基底(10)，得到衬底(110)与位于所述衬底(110)表面上的多个间隔的纳米线(120)，各所述纳米线(120)包括从下至上依次连接的至少一个子纳米线(012)，各所述子纳米线(012)从下至上依次连接的第一端部(121)、中间部(122)以及第二端部(123)，其中，与所述衬底(110)连接的所述子纳米线(012)通过所述第一端部(121)与所述衬底(110)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
