[发明专利]一种抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法在审
| 申请号： | 201810136610.2 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108346575A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 杨剑群;李兴冀;赵金宇;董尚利 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 杨立超 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电离辐射缺陷的形成及演化机制，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有的技术中对于降低低剂量率辐射损伤增强效应缺乏有效手段的缺点而提出的，包括：将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；保温结束后，将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 双极晶体管 保温 应用技术领域 保护性气体 电离辐射 电子系统 航天器舱 空间环境 密闭容器 演化机制 有效手段 抽真空 低剂量 抗辐射 电离 电炉 元器件 放入 加热 填充 损伤 辐射 | ||
【主权项】：
1.一种抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法，其特征在于，包括：步骤一，将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；步骤二，使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；加热时的升温速率小于等于20℃/min，控温精度为±1℃，加热温度为80℃至220℃；步骤三，保温结束后，将晶体管降温至室温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
