[发明专利]一种抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法在审
| 申请号： | 201810136610.2 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108346575A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 杨剑群;李兴冀;赵金宇;董尚利 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 杨立超 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 双极晶体管 保温 应用技术领域 保护性气体 电离辐射 电子系统 航天器舱 空间环境 密闭容器 演化机制 有效手段 抽真空 低剂量 抗辐射 电离 电炉 元器件 放入 加热 填充 损伤 辐射 | ||
1.一种抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法，其特征在于，包括：
步骤一，将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；
步骤二，使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；加热时的升温速率小于等于20℃/min，控温精度为±1℃，加热温度为80℃至220℃；
步骤三，保温结束后，将晶体管降温至室温。
2.根据权利要求1所述的抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤三执行完成之后，还包括用于检测是否出现辐照损伤增强效应的步骤，具体包括：
步骤四，使用60Co作为辐照源对所述晶体管进行电离辐照试验，改变辐照剂量率并记录晶体管的电流增益的变化量，若变化量超过预设的阈值，则表示所述晶体管发生了损伤。
3.根据权利要求1所述的抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法，其特征在于：
在步骤一执行之前，
对于经过未经过加温处理的晶体管，绘制深能级瞬态谱图；
在步骤三执行之后，
对于经过加温处理的晶体管，绘制深能级瞬态谱图。
4.根据权利要求或2所述的抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法，其特征在于，步骤一中，抽真空时的真空度不低于10pa至10-4pa。
5.根据权利要求4所述的抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法，其特征在于，步骤三中，降温时的降温速率小于等于20℃/min。
6.根据权利要求5所述的抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法，其特征在于，步骤四中，改变辐照剂量率的变化范围为1mrad/s至10mrad/s，辐照总剂量为20krad至100krad。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
