[发明专利]高速和低功率读出放大器在审

专利信息
申请号: 201810133249.8 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN108172250A 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 皮小燕;X.钱;K.岳;Y.周;Y.朱 申请(专利权)人: 硅存储技术公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐红燕;陈岚
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了高速和低功率读出放大器本发明公开了一种改进的读出电路,其利用未使用的存储器阵列中的位线提供参考值,以与另一存储器阵列中的所选单元进行比较。本发明还公开了一种可执行自检的电路,从而识别具有约为可接受阈值的泄漏电流的位线。 1
搜索关键词: 存储器阵列 读出放大器 低功率 位线 读出电路 泄漏电流 可接受 可执行 未使用 自检 电路 参考 改进
【主权项】:
1.一种用于检测存储器系统中与位线相关的泄漏电流的系统,包括:

第一电路,其用于生成参考电流;

第二电路,其生成与所述位线相关的泄漏电流;

第一节点,其耦合至所述第一电路和第二电路;

第二节点,其表现出恒定的电压;

比较器,其包含作为输入的所述第一节点和作为输入的所述第二节点,其中所述比较器的输出指示所述泄漏电流是否超过所述参考电流。

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述参考电流是所述位线的可接受泄漏电流的水平。

3.根据权利要求1所述的存储器系统,还包括控制器。

4.根据权利要求3所述的存储器系统,其中所述控制器被配置成存储所述位线的标识符。

5.一种检测存储器系统中与位线相关的泄漏电流的方法,包括:

在第一节点处生成参考电流;

在所述第一节点处生成与所述位线相关的泄漏电流;

在第二节点处生成恒定电压;

比较所述第一节点的电压和所述第二节点的电压,并且生成输出电压,其指示所述泄漏电流是否超过所述参考电流。

6.根据权利要求5所述的方法,其中所述参考电流是所述位线的可接受泄漏电流的水平。

7.根据权利要求6所述的方法,还识别所述位线。

8.根据权利要求7所述的方法,还包括在控制器中存储所述位线的标识符。

9.根据权利要求7所述的方法,还包括在所述存储器系统操作期间以第二位线取代所述位线。

10.根据权利要求5所述的方法,其中所述存储器系统包括第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列。

11.根据权利要求5所述的方法,其中所述位线处于所述第一存储器单元阵列内。

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