[发明专利]具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法有效
| 申请号： | 201810128072.2 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108400167B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王海艇;赵薇;宇宏;吴旭升;臧辉;胡振宇 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法，揭示一种包括至少一个鳍式场效应晶体管及至少一个单扩散中断(SDB)型隔离区的半导体结构，以及形成该半导体结构的方法。在该方法中，在半导体鳍片内的隔离区上方形成隔离凸块并在该凸块上形成侧间隙壁。在用以降低该凸块的高度并自该鳍片的侧壁移除隔离材料的蚀刻工艺期间，该侧间隙壁防止横向蚀刻该凸块。在用以在该鳍片中形成源/漏凹槽的蚀刻工艺期间，该侧间隙壁保护邻近该隔离区的该半导体材料。因此，各凹槽的侧及底部包括半导体表面并最大限度地降低其中所形成的外延源/漏区的顶部表面的角度，从而最大限度地降低未着陆源/漏接触的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 中断 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体鳍片中形成隔离区，该半导体鳍片具有第一顶部表面及第一相对侧壁且该隔离区具有第二顶部表面及第二相对侧壁；在该第一顶部表面及该第二顶部表面上方形成硬掩膜层；在该硬掩膜层中形成在该隔离区上方对齐的凸块开口；在该隔离区上的该凸块开口中形成隔离凸块，该隔离凸块具有第三顶部表面及第三相对侧壁；在该第三相对侧壁上形成侧间隙壁；以及执行蚀刻工艺以暴露该半导体鳍片的该第一相对侧壁并凹入该隔离凸块的该第三顶部表面，其中，该侧间隙壁防止在该蚀刻工艺期间横向蚀刻该隔离凸块。
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