[发明专利]电源采样电路及包括其的零功耗上电复位电路在审

专利信息
申请号: 201810121063.0 申请日: 2018-02-07
公开(公告)号: CN108418573A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 罗杰;鲁华祥;杨文轩;李文昌;王彦虎 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种电源采样电路及包括其的零功耗上电复位电路。其中,该电源采样电路包括:第一NMOS,其栅极与自身的源极连接;第一PMOS,其栅极与自身的漏极连接,其漏极同时与所述第一NMOS的漏极连接;第一电阻,其第一端与所述第一PMOS的源极连接;第一电容,其第一端与所述第一NMOS的源极连接,其第二端与所述第一PMOS的漏极连接;第二NMOS,其源极与所述第一电容的第一端连接,其栅极与所述第一电容的第二端连接;以及第二电容,其第一端与所述第二NMOS的漏极连接,其第二端与所述第一电阻的第二端连接。本公开电源采样电路及包括其的零功耗上电复位电路,对电源的上电时间长短依赖度低,具有工艺跟随特性。
搜索关键词: 漏极 电源采样电路 电容 第一端 上电复位电路 源极连接 零功耗 电阻 依赖度 上电 源极 电源
【主权项】:
1.一种电源采样电路,包括:第一NMOS,其栅极与其自身的源极连接;第一PMOS,其栅极与其自身的漏极连接,且其漏极同时与所述第一NMOS的漏极连接;第一电阻,其第一端与所述第一PMOS的源极连接;第一电容,其第一端与所述第一NMOS的源极连接,其第二端与所述第一PMOS的漏极连接;第二NMOS,其源极与所述第一电容的第一端连接,其栅极与所述第一电容的第二端连接;以及第二电容,其第一端与所述第二NMOS的漏极连接,其第二端与所述第一电阻的第二端连接。
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